如果說(shuō)科技是人類發(fā)展的引擎，風(fēng)淋室廠家人為，那半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)疑就是這臺(tái)引擎的“燃油”。在全球科技的快速發(fā)展以及能源的加速消耗下，“便利、安全和環(huán)保”如今已成為科技界尤其是電子產(chǎn)業(yè)公認(rèn)的三大風(fēng)向標(biāo)，引領(lǐng)著現(xiàn)在及未來(lái)整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。作為國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨頭之一，多年來(lái)英飛凌也一直秉承著為客戶帶來(lái)“便利、安全和環(huán)保”的產(chǎn)品理念，以不斷創(chuàng)新的技術(shù)和開(kāi)放性的態(tài)度為消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)等諸多領(lǐng)域“充能”。

　　為進(jìn)一步向中國(guó)客戶普及英飛凌的產(chǎn)品理念，11月28日，英飛凌以深圳為基點(diǎn)，正式向中國(guó)市場(chǎng)推出基于新一代GaN材料的“CoolGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品”，英飛凌大中華區(qū)副總裁電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“未來(lái)英飛凌將不斷以更高頻率的開(kāi)關(guān)速度、更輕薄的設(shè)計(jì)以及更低的成本的GaN產(chǎn)品賦能消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)以及基礎(chǔ)設(shè)施等眾多細(xì)分領(lǐng)域。自今日CoolGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)布后，英飛凌已成為市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。”

　　英飛凌大中華區(qū)副總裁電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉

　　氮化鎵布局時(shí)間已成熟

　　從應(yīng)用范圍來(lái)看，目前硅材料仍然是當(dāng)前半導(dǎo)體器件領(lǐng)域最主流的解決方案。而氮化鎵作為具備高開(kāi)關(guān)性能、高效率以及低損耗性能的材料，主要定位還是在高功率以及高電壓的一些應(yīng)用領(lǐng)域。據(jù)統(tǒng)計(jì)，未來(lái)十年，基于氮化鎵的器件市場(chǎng)總值有望超過(guò)10億美元。從市場(chǎng)的分布來(lái)說(shuō)，電源類產(chǎn)品大概會(huì)占到整個(gè)市場(chǎng)的40%左右;汽車類應(yīng)用雖起步較晚但厚積薄發(fā)，未來(lái)幾年的成長(zhǎng)速度也非常快，也是英飛凌當(dāng)前重點(diǎn)布局的一大領(lǐng)域。

　　英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理鄧巍告訴華強(qiáng)電子網(wǎng)記者：“與碳化硅定位在600V一直到3.3kv的范圍不同，氮化鎵主要定位在中央的低壓產(chǎn)品，大概是100-600V左右。而且其擁有能夠在高頻下無(wú)損耗地進(jìn)行開(kāi)關(guān)的特性，比如說(shuō)在特定地為氮化鎵所采用的高頻下的應(yīng)用，因此可以看到氮化鎵在頻率上還要往高頻領(lǐng)域更加地突出。如今，隨著氮化鎵逐漸度過(guò)熱潮期，其價(jià)值也正一步步開(kāi)始被發(fā)掘，對(duì)于英飛凌來(lái)說(shuō)現(xiàn)在正是一個(gè)非常好的布局時(shí)機(jī)。”

　　據(jù)英飛凌介紹，在氮化鎵方面，公司已經(jīng)推出了五到六個(gè)左右的目標(biāo)應(yīng)用，比如服務(wù)器、電芯、無(wú)線充電、音頻、適配器。當(dāng)然，氮化鎵不僅僅局限于這些應(yīng)用，未來(lái)英飛凌還會(huì)在更多領(lǐng)域來(lái)進(jìn)行嘗試，比如說(shuō)太陽(yáng)能、照明、消費(fèi)電子、電視以及汽車等等。

　　英飛凌CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT 解決多個(gè)業(yè)內(nèi)難題

　　眾所周知，作為一個(gè)常開(kāi)型器件，將GaN器件設(shè)計(jì)成常閉型如今已很難被客戶所應(yīng)用和接受。因?yàn)楹芏鄰S商無(wú)論是在硅器件，抑或是其他類型的器件上已經(jīng)對(duì)常關(guān)型的理念非常熟悉而且形成了習(xí)慣。

　　為了使GaN器件達(dá)到最長(zhǎng)的使用壽命，本次英飛凌發(fā)布的CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT采用采用了業(yè)界獨(dú)一無(wú)二的常閉式概念解決方案，從多個(gè)角度解決了多年來(lái)困擾行業(yè)的幾個(gè)關(guān)鍵難題。具體來(lái)講，鄧巍表示：“我們采用了P型的氮化鎵電阻柵，在柵極電壓超出正向電壓時(shí)進(jìn)行空穴注入。因?yàn)榈壸鳛榈谌雽?dǎo)體器件，如果不在柵極做任何的電壓動(dòng)作的話，它中間會(huì)有一個(gè)二維電子器的層，會(huì)出現(xiàn)電子在中間流動(dòng)。而我們采用的則是一個(gè)常關(guān)的理念，在技術(shù)細(xì)節(jié)和工藝上做了一些改動(dòng)，比如我們?cè)跂艠O加了P-，做出了一個(gè)市場(chǎng)比較容易理解的常關(guān)型器件。”

　　英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理鄧巍

　　“另一方面，我們也采用了P型氮化鎵漏極接觸，來(lái)避免電流崩潰，”鄧巍進(jìn)一步補(bǔ)充到，“氮化鎵有一個(gè)業(yè)界比較棘手的問(wèn)題叫做動(dòng)態(tài)RDS(ON)，英飛凌如今已可以解決這個(gè)問(wèn)題，解決問(wèn)題的關(guān)鍵在于就是把“P-”引入，動(dòng)態(tài)RDS(ON)有很多電子在開(kāi)關(guān)的時(shí)候被漏級(jí)的電子陷在里面不流通，這樣會(huì)造成有影響。而把“P-”放在這里之后，把表面的電子中和掉，這樣可以從技術(shù)的根本來(lái)解決問(wèn)題。其等效電路的柵極是一個(gè)阻性的柵極，有一個(gè)二極管進(jìn)行自鉗斷式阻性柵極，阻性柵極內(nèi)部將VGS鉗位到安全范圍。高柵極電流可實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通;穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)拓?fù)洹＿@個(gè)等效電路提供這些優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，可靠性也是非常高的，所以氮化鎵也會(huì)保證在業(yè)界最好的質(zhì)量，這也是為什么英飛凌可以在工藝領(lǐng)域領(lǐng)先的原因。”據(jù)編者獲悉，目前這個(gè)結(jié)構(gòu)只有英飛凌和松下可以用。

　　值得一提的是，為了不扼殺GaN器件的“高頻下無(wú)損耗進(jìn)行開(kāi)關(guān)”的優(yōu)勢(shì)，英飛凌引入了貼片式(SMD)封裝，鄧巍解釋到，“貼片式封裝的優(yōu)勢(shì)在于進(jìn)深參數(shù)比較小，可以最大效率地發(fā)揮。雖然我們引入的都是SMD的封裝，但區(qū)別在于熱性能不同，頂部散熱的話它的熱性能更好，當(dāng)然它的體積更大。但優(yōu)勢(shì)是具有更大的靈活度，比如我們可以根據(jù)不同的客戶、不同的需求提供不同的產(chǎn)品給他們，有的客戶可能要求散熱性能更好，有的客戶要求體積更小，我們都可以分別提供不同封裝的產(chǎn)品。”

　　競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手用的可靠性模型往往是非常激進(jìn)的，展示的往往是最好的case，RDS(ON)的問(wèn)題沒(méi)有解決，在使用中壽命會(huì)有所降低。鄧巍對(duì)記者透露：“英飛凌的模型永遠(yuǎn)是比較保守的模型，我們總會(huì)考慮最壞的情況是怎么樣。英飛凌的產(chǎn)品有大于10年的使用壽命，數(shù)據(jù)參數(shù)等永遠(yuǎn)會(huì)考慮很多的余量在里面。我們動(dòng)態(tài)的RDS(on)是為0的，有更穩(wěn)健(損耗更小)的柵極理念，我們有專門(mén)的資質(zhì)認(rèn)證方法，和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有所不同。所以，英飛凌的氮化鎵是業(yè)內(nèi)最可靠的氮化鎵產(chǎn)品。”

　　特殊情況特殊對(duì)待!英飛凌專用驅(qū)動(dòng)IC優(yōu)勢(shì)明顯

　　對(duì)CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT來(lái)說(shuō)，它的驅(qū)動(dòng)有一些特殊性。首先要接通脈沖，氮化鎵在導(dǎo)沖的時(shí)候一定要有一個(gè)穩(wěn)態(tài)的導(dǎo)沖電流，來(lái)保持它的開(kāi)通，然后需要負(fù)的脈沖來(lái)關(guān)斷。這些特殊的負(fù)的電流也需要有一個(gè)負(fù)的電壓把它關(guān)斷，所以穩(wěn)態(tài)的導(dǎo)沖電流加上負(fù)電壓的關(guān)斷，給電源的一些驅(qū)動(dòng)造成客戶需要使用這個(gè)應(yīng)用，并不是所有的客戶都有很好的研發(fā)能力來(lái)驅(qū)動(dòng)氮化鎵的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)不好就代表它的優(yōu)勢(shì)不能最大化。

　　鄧巍表示：“我們深刻體會(huì)到客戶有這個(gè)需求，所以我們自主研發(fā)了氮化鎵的三款不同的驅(qū)動(dòng)器，分別為EiceDRIVER IC--1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H。不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)IC，針對(duì)CoolGaN量身定制的柵極驅(qū)動(dòng)IC可提供負(fù)輸出電壓，以快速關(guān)斷氮化鎵開(kāi)關(guān)。在開(kāi)關(guān)應(yīng)處于關(guān)閉狀態(tài)的整個(gè)持續(xù)時(shí)間內(nèi)，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零，這可保護(hù)氮化鎵開(kāi)關(guān)不受噪音導(dǎo)致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對(duì)于SMPS實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行至關(guān)重要。氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)IC可實(shí)現(xiàn)恒定的GaN HEMT開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開(kāi)關(guān)速度影響，這可確保運(yùn)行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期。它集成了電隔離，可在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)健運(yùn)行，還可在SMPS一次側(cè)和二次側(cè)之間提供保護(hù)，并可根據(jù)需要在功率級(jí)與邏輯級(jí)之間提供保護(hù)?？傮w來(lái)講，它們具備專有的高壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片優(yōu)勢(shì)，比如最佳的穩(wěn)健性(聯(lián)合氮化鎵的開(kāi)關(guān)共同使用)，提供最好的效率以及最小的研發(fā)投入。”

　　值此，英飛凌在GaN領(lǐng)域正式成為了一家擁有完整系統(tǒng)解決方案的提供商，從驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)到控制器英飛凌都已經(jīng)具備足夠競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。潘大偉表示：“英飛凌的定位不僅僅是一個(gè)器件提供商，在整個(gè)電源管理中提供所有的器件可以讓英飛凌能夠更有經(jīng)驗(yàn)地幫助客戶進(jìn)行整個(gè)系統(tǒng)的咨詢工作，這也是我們有別于其他公司的重要因素。”

　　結(jié)語(yǔ)：

　　2018年即將過(guò)去，2019將正式迎來(lái)5G技術(shù)的商用之年。在5G高速網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下，無(wú)論是消費(fèi)電子、電視、汽車亦或是工業(yè)等領(lǐng)域?qū)⒋蠓嵘龑?duì)GaN功率器件的市場(chǎng)需求，GaN真正的“價(jià)值爆發(fā)期”已經(jīng)開(kāi)始。雖然英飛凌如今已成為國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)航者，但越來(lái)越多的中小廠商甚至不少創(chuàng)業(yè)公司也在加速開(kāi)發(fā)高性能的GaN功率器件，并積極推進(jìn)其在汽車及工業(yè)等極具增長(zhǎng)潛力領(lǐng)域的應(yīng)用，未來(lái)也必將成為英飛凌在GaN功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)線上的勁敵。因此，編者認(rèn)為，若想在各條功率半導(dǎo)體戰(zhàn)線上持續(xù)保持領(lǐng)先，英飛凌還需要繼續(xù)加快進(jìn)度拓展更多的應(yīng)用場(chǎng)景，以最快的速度搶占客戶資源，畢竟“競(jìng)爭(zhēng)不等人，時(shí)間更不等人”!